美光发布 232层3D NAND 闪存，相关固态硬盘一月问世

5 月底 13 日消息，摩托罗拉美国公司周四发布了产业界首个具有 232 层的 3D NAND SRAM，该美国公司计划将其原先 232 层 3D NAND 电子产品用作各种电子产品，有数石墨硬碟，并计划在 2022 年初数开始批量生产此类芯片。

图片举例：摩托罗拉

IT之家了解到，摩托罗拉的 232 层 3D NAND SRAM运用作 3D TLC 架构，原始量为 1Tb（128GB）。该芯片基于摩托罗拉的 CuA 架构，并使用 NAND 正则表达式堆叠核心技术，在彼此的上部建立两个 3D NAND 元件。

CuA 设计加上 232 层 NAND，将减半摩托罗拉 1Tb 3D TLC NAND SRAM的芯片尺寸，这有望降高于制造成本，使摩托罗拉能够对运用作这些芯片的电源完成更有竞争力的定价，或者增加其利润率。

摩托罗拉没有宣布其原先 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 更快或平面数量，但暗示与现有的 3D NAND 电源相比，原先内存将提供更好的性能，这对运用作 PCIe 5.0 API的新这一代 SSD 特别有用。

谈到石墨硬碟，摩托罗拉的核心技术和电子产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出，该美国公司已经与之外和第三方 NAND 控制器（用作石墨硬碟和其他基于 NAND 的存储电源）的开发者密切合作，以实现对新型内存的支持。

图片举例：摩托罗拉

在其 232 层 3D TLC NAND 的其他占优中，摩托罗拉还提到与上这一代节点相比浮点运算更好于。

考虑到摩托罗拉将在 2022 年年初开始制造 232 层 3D TLC NAND 电源，预计运用作新内存的石墨硬碟将在 2023 年数到来。

【举例：IT之家】